拓扑绝缘体拓扑半金属的几个基本模型

报告题目：拓扑绝缘体拓扑半金属的几个基本模型

报告人：余睿教授武汉大学

报告时间：2019年 8月 1 日　上午 11:10-12:10

报告邀请人：江华

报告地点：物理科技楼 101室

报告摘要：本次报告向各位同学介绍拓扑绝缘体和拓扑半金属里面的几个基本模型。包括 1）量子反常霍尔效应的Haldane模型； 2）量子自旋霍尔效应的 Kane-Mele 模型； 3）量子自旋霍尔效应的 BHZ 模型；4）结点、结线半金属的几个模型以及他们的推导方法。可以让各位同学了解拓扑态的一些基本知识，并用这些基本概念在人工结构中设计拓扑态。

报告人简介：余睿，2005年于华中科技大学电子科学与技术系获得学士学位。2011年于中国科学院物理研究所获得博士学位。2011-2015年先后在香港大学和日本NIMS从事博士后研究工作。目前在武汉大学 工作。感兴趣的方向是物质的拓扑态以及相关物理问题的研究。在Science, PRL,PRB等期刊上发表论文20余篇。