半导体量子结构中的自旋轨道耦合和量子相

报告题目：半导体量子结构中的自旋轨道耦合和量子相

报告人：常凯中科院半导体所

报告时间：2019年 7月 31 日　上午 9:50-11:50

报告邀请人：江华

报告地点：物理科技楼 101室

报告摘要：半导体物理与技术是现代通信和信息处理的基础。半导体量子结构不仅具有重要的应用价值，同时也是探索形形色色演生规范场及其相关量子效应的绝佳实验平台，它可以把维度效应（或称纳米结构）、关联效应和能带拓扑性质结合起来，研究由于这些效应相互影响导致的新量子相。在本次报告中，我们将结合我们的工作讨论在近年来在半导体量子结构中呈现出的自旋轨道耦合、相关的演生规范场及其诱导的量子效应，例如：1，自旋轨道耦合效应及其诱导的规范场和自旋霍尔效应；2，半导体极性界面中的拓扑相；3，二维材料中应变及光场诱导的规范场及其输运行为；4，半导体量子阱中库仑关联引致的激子绝缘相；5，二维体系中人工格点诱导的界面拓扑模式。

相关参考文献：

1) W. Yang, Kai Chang* and S. C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 100, 056602(2008);

2) Kai Chang* and W. K. Lou Phys. Rev. Lett. 106, 206802(2011);

3) Z. H. Wu, F. Zhai, F. M. Peeters, H. Q. Xu and Kai Chang*, Phys. Rev. Lett. 106, 176802 (2011)

4) J. Zhu, D. X. Yao, S. C. Zhang, and Kai Chang*, Phys. Rev. Lett. 106, 097201 (2011);

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6) Y. J. Jiang, Tony Low, Kai Chang*, M. I. Katsnelson, and F. Guinea, Phys. Rev. Lett. 110, 046601 (2013).

7) Y. M. Li, J. Li, L. K. Shi, D. Zhang, W. Yang, and Kai Chang*, Phys. Rev. Lett. 115, 166804 (2015).

8) M. S. Miao, Q. Yan, C. G. Van de Walle, W. K. Lou, L. L. Li, and Kai Chang* Phys. Rev. Lett. 109, 186803 (2012);

9) D. Zhang, W. K. Lou, M. S. Miao, S. C. Zhang and Kai Chang*,Phys. Rev. Lett. 111, 156402 (2013);

10) L.J.Du,X.W.Li,W.K.Lou,G.Sullivan, Kai Chang*, J.Kono*, R.R.Du*, Nature Commun. 8,1971(2017).

11) Y. M. Li, J. Xiao, Kai Chang*, Nano Lett. 18, 3032(2018).

报告人简介：常凯，中国科学院半导体研究所研究员，2000年入选中科院百人计划，2004年度获得国家自然科学二等奖，2005年度杰出青年基金获得者。2013年度获得中国物理学会黄昆固体物理和半导体物理科学奖。长期从事半导体基础物理研究，曾任2013年第17届窄能隙半导体物理会议主席；2015年（德国）第18届国际程序委员会委员；2015年（日本）二维电子气物理会议（EP2DS-21）程序委员会委员；2016年第33届国际半导体物理大会（ICPS-33）程序委员会主席。