针对芯片系统小型化、集成化和智能化的方向，理解集成磁电材料的多维度物理性能，开发高性能磁学、电学功能材料与器件。在该方向，主持国家自然科学基金项目3项、国家重点研发计划项目子课题2项、教育部基金项目1项、国家重点实验室开放课题项目2项、苏州市重点产业前瞻性研究项目1项、其它科研项目6项。在Advanced Functional Materials、Angew.Chem.Int.Ed.、Physical Review Applied 和 Applied Physics Letters 等重要期刊上发表研究论文80余篇，获授权国家发明专利7项和实用新型专利2项。近期代表性论文如下（完整论文和专利见个人网站https://web.suda.edu.cn/tangrj/）：

1.X.Y. Wang, L. Ma, C.L. Wang, J. Wang, J. Guo, R. J. Tang*, J.T. Zhu*, G.F. Zou*, Seed Engineering toward Layer-regulated Growth of Magnetic Semiconductor VS2, Advanced Functional Materials, 2213295,1-9 (2023).

2.Q. S. Zhu, R. J. Tang*, G.Q. Liang, H. Wang, H.Y. Wang, R. Zhao, L. You, X.D.Su, Low voltage control of magnetism in BaFe10.2Sc1.8O19/BaTiO3 bilayer epitaxial thin film at temperatures up to 390 K,  Applied Physics Letters, 120, 062401 (2022).

3.S.C. Xu, Q.S. Zhu, G.Q. Liang, J.M. Zhang, H. Wang, H.Y. Wang, R. Zhao, L.You, X.D. Su, R. J. Tang*, Lattice defects related magnetic and magnetocapacitance properties of multiferroic BaFe10.2Sc1.8O19 epitaxial thin films, Scripta Materialia, 210(114466) (2022).

4.Q.S.Zhu, R. J. Tang*, X.D.Su, et’al, Mechanical Regulation of the Magnetic Properties of Uniaxial Anisotropic Hexaferrite Thin Films, Physical Review Applied, 16, 054006 (2021).

5.J. J Zhang,R. J. Tang*, X.D.Su*, J.S.Chen* et’al, Piezoelectric control of resistance switching in VO2/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 thin film heterostructure, Applied Physics Letters. 114, 061603 (2019).

6.R. J. Tang*, H.Zhou, H. Yang*et’al, Room-temperature magnetodielectric effects in epitaxial hexaferrite BaFe10.2Sc1.8O19 thin films, Applied Physics Letters. 110, 242901 (2017).

7.R. J. Tang*, H.Zhou, H.Yang*,Room-temperature multiferroic and magneto-capacitance effects in M-type hexaferrite BaFe10.2Sc1.8O19, Applied Physics Letters. 109, 082903(2016). [Editor's Pick]

8.R. J. Tang*, C.Jiang, H.Yang*et al., Impedance spectroscopy and scaling behaviors of Sr3Co2Fe24O41 hexaferrites, Applied Physics Letters,106, 022902 (2015)

主要研究领域为：磁电功能材料、物理与器件，具体包括

1. 氧化物薄膜磁学、电学和磁电耦合性质的多场调控（实验+微磁学模拟）；

2. 面向6G通讯和新能源产业应用的高性能磁性材料；

3. 新型智能低维材料与智能传感器件；

每年招收博士研究生0-1名、硕士研究生2名。

欢迎对功能氧化物薄膜磁电物理性质（偏物理）、高性能磁性材料（偏材料）和智能传感器件（材料+物理+应用）感兴趣，并有志于科学研究的同学加入本实验室！优秀博士生可推荐去国外一流研究组联合培养。