InP基2微米波段量子阱激光器研究

报告题目：InP基2微米波段量子阱激光器研究

报告人：杨涛，中国科学院半导体研究所

报告时间：2019年4月10日下午3点30分

报告地点：物理科技楼-34

报告邀请人：宋瑛林

报告摘要：2-2.5微米波段是大气窗口之一。目前，该波段激光器有源区材料主要采用GaSb基量子阱和InP基量子阱结构。与GaSb基材料相比，InP基材料具有以下几方面的优势：1）高质量、低成本的衬底。此外，InP的导热率为GaSb两倍以上，有利于器件散热。2）得益于通讯用激光器的发展，具有成熟的器件工艺技术且易与其它器件实现集成。3）可用适于大规模化生产的MOCVD制备，有利于降低成本。
    本报告将介绍我们在发展高性能InP基2微米波段量子阱激光器方面的主要研究进展，包括：1）实现高质量1.9-2.4微米波段In(Ga)As/InP多量子阱材料的MOCVD制备；2）实现高性能2微米波段In(Ga)As/InP多量子阱激光器。激光器单面室温连续出光功率超过215 mW@2.15mm(脊宽：30 mm，腔长：1.5 mm)；脉冲电流注入下，室温单面最大峰值出光功率达到1.35 W；3）实现高性能2微米波段多量子阱分布反馈（DFB）激光器。DFB激光器边模抑制比达49 dB；4）实现高功率低发散角2微米波段多量子阱耦合脊激光器阵列。

报告人简介：杨涛，中科院半导体研究所研究员，中国科学院大学（国科大）教授，博生生导师，中科院特聘研究员，中科院“百人计划”入选者，国家重点研发计划项目首席科学家。1997年毕业于日本德岛大学，获工学博士。博士毕业后，作为研究员先后任职于日立公司中央研究所，日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）和东京大学。2006年，作为中科院“引进海外杰出人才”回国到半导体研究所工作，任研究员。2015年，兼任国科大教授，材料科学与光电子技术学院半导体材料高端制造与集成教研室主任。

杨涛教授长期从事低维半导体异质结构材料外延与器件应用的研究。主持包括国家重点研发计划、基金重点、973课题、863和北京市科技计划等十余项国家和地方项目。迄今，在重要的国际学术刊物上发表论文120余篇，国际学术会议论文90余篇和国内学术会议论文80余篇。申请国内外发明专利30项（授权11项）。获德岛大学国际交流研究奖（1997），NEDO Fellowship (2000)，中科院“百人计划”（2007），朱李月华优秀教师奖（2016）。