苏晓东/孙华（共同通讯作者）课题组的研究成果“Forming submicron in micron texture on the diamond-wire-sawn mc-Si wafer by introducing artificial defects”，近日正式发表在光伏国际权威期刊Progress in Photovoltaics (影响因子7.776)，这也是该课题组自2019年以来在该刊发表的第二篇论文。课题组博士生吴成坤和邹帅为共同一作，本工作也是苏州大学和苏州阿特斯研发部产学研合作的成果。
该研究工作基于痕量Ag湿法黑硅技术技术将“纳米人工缺陷”引入金刚线切多晶硅片表面，再采用常规酸制绒技术即可形成一种独特的亚微-微米双尺度复合绒面（SIM texture）。不同于常规酸制绒的微米绒面（Micron texture），也不同于主流黑硅技术制绒的亚微米绒面（Submicron texture)，SIM绒面的多晶电池片不仅有较好的光学和电学性能，还有较好的外观。课题组对SIM绒面的形成动力学和陷光机制进行了深入的阐述，该工作为高效晶硅电池陷光绒面的制备提供了新的可行技术途径。
论文链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pip.3271
